Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — FDS6675BZ

FDS6675BZ Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2

5Вт; SO8

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: FDS6675BZ.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	2,5Вт
Производитель	ONSEMI
Ток стока	-11А
Корпус	SO8
Технология	PowerTrench®
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	21,8мОм
Заряд затвора	35нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±25В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FDS6675BZ с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FDS6675BZ ON SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ON Semiconductor FDS6675BZ #FDS6675BZ Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт.	Запросить	ON Semiconductor FDS6675BZ #FDS6675BZ Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -11А; 2,5Вт; SO8 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3 шт. Кратность: 3 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽