loader
← Каталог

IPD50P03P4L11ATMA1 Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А

IPD50P03P4L11ATMA1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: IPD50P03P4L11ATMA1.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Производитель

INFINEON TECHNOLOGIES

Ток стока в импульсном режиме

-200А

Ток стока

-42А

Корпус

PG-TO252-3-11

Технология

OptiMOS® -P2

Рассеиваемая мощность

58Вт

Сопротивление в открытом состоянии

10,5мОм

Тип транзистора

P-MOSFET

Напряжение сток-исток

-30В

Напряжение затвор-исток

-5...16В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD50P03P4L11ATMA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1

#IPD50P03P4L11ATMA1

Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.

Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1

#IPD50P03P4L11ATMA1


Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2500 шт.
Кратность: 2500 шт.