IPD50P03P4L11ATMA1
#IPD50P03P4L11ATMA1
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: IPD50P03P4L11ATMA1.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Производитель |
INFINEON TECHNOLOGIES |
Ток стока в импульсном режиме |
-200А |
Ток стока |
-42А |
Корпус |
PG-TO252-3-11 |
Технология |
OptiMOS® -P2 |
Рассеиваемая мощность |
58Вт |
Сопротивление в открытом состоянии |
10,5мОм |
Тип транзистора |
P-MOSFET |
Напряжение сток-исток |
-30В |
Напряжение затвор-исток |
-5...16В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для IPD50P03P4L11ATMA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить IPD50P03P4L11ATMA1 INFINEON TECHNOLOGIES Транзистор: P-MOSFET; OptiMOS® -P2; полевой; -30В; -42А; Idm: -200А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Infineon Technologies
IPD50P03P4L11ATMA1
#IPD50P03P4L11ATMA1 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |