Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — NTS4173PT1G

NTS4173PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0

8А; Idm: -5А; 290мВт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: NTS4173PT1G.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	290мВт
Производитель	ONSEMI
Ток стока в импульсном режиме	-5А
Ток стока	-0,8А
Корпус	SOT323
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	150мОм
Заряд затвора	10,1нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±12В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NTS4173PT1G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NTS4173PT1G ON SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	ON Semiconductor NTS4173PT1G #NTS4173PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ON Semiconductor NTS4173PT1G #NTS4173PT1G Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -0,8А; Idm: -5А; 290мВт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽