Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — PMDXB1200UPEZ

PMDXB1200UPEZ Транзистор: P-MOSFET

Внешний вид товара может отличаться от представленного

NEXPERIA

По запросу

Запросить

Техническая документация: PMDXB1200UPEZ.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Производитель	NEXPERIA
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	-1,7А
Ток стока	-260мА
Корпус	SOT1216
Технология	Trench
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	2,4Ом
Заряд затвора	1,2нC
Тип транзистора	P-MOSFET x2
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для PMDXB1200UPEZ с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить PMDXB1200UPEZ NEXPERIA Транзистор: P-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Nexperia PMDXB1200UPEZ #PMDXB1200UPEZ Транзистор: P-MOSFET	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт.	Запросить	Nexperia PMDXB1200UPEZ #PMDXB1200UPEZ Транзистор: P-MOSFET Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5000 шт. Кратность: 5000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽