RD3G07BATTL1
#RD3G07BATTL1
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (981) 751-11-91
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![RD3G07BATTL1]( "RD3G07BATTL1")
Каталог
—
Каталог ТМЕ
—
Полупроводники
—
Транзисторы
—
Транзисторы униполярные
—
Транзисторы с каналом типа P
—
Транзисторы с каналом P SMD
—
RD3G07BATTL1
RD3G07BATTL1 Транзистор: P-MOSFET
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: RD3G07BATTL1.pdf
Монтаж |
SMD |
Вид канала |
обогащенный |
Рассеиваемая мощность |
101Вт |
Производитель |
ROHM SEMICONDUCTOR |
Ток стока в импульсном режиме |
-140А |
Ток стока |
-70А |
Корпус |
TO252 |
Напряжение сток-исток |
-40В |
Сопротивление в открытом состоянии |
8,7мОм |
Заряд затвора |
105нC |
Тип транзистора |
P-MOSFET |
Вид упаковки |
лента |
Напряжение затвор-исток |
±20В |
Полярность |
полевой |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для RD3G07BATTL1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить RD3G07BATTL1 ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
0.00
1
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0202
Поставка:
27 - 35 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |