loader
← Каталог

RU1E002SPTCL Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: 0

,

5А; 200мВт

RU1E002SPTCL

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: RU1E002SPTCL.pdf

Монтаж

SMD

Вид канала

обогащенный

Рассеиваемая мощность

200мВт

Производитель

ROHM SEMICONDUCTOR

Характеристики полупроводниковых элементов

ESD protected gate

Ток стока в импульсном режиме

-0,5А

Ток стока

-250мА

Корпус

SOT323F

Напряжение сток-исток

-30В

Сопротивление в открытом состоянии

1,4Ом

Тип транзистора

P-MOSFET

Вид упаковки

лента

Напряжение затвор-исток

±20В

Полярность

полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для RU1E002SPTCL с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить RU1E002SPTCL ROHM SEMICONDUCTOR Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: 0,5А; 200мВт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
ROHM SEMICONDUCTOR
RU1E002SPTCL

#RU1E002SPTCL

Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: 0,5А; 200мВт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.

ROHM SEMICONDUCTOR
RU1E002SPTCL

#RU1E002SPTCL


Транзистор: P-MOSFET; полевой; -30В; -250мА; Idm: 0,5А; 200мВт

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 10 шт.
Кратность: 10 шт.