Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0

48Вт; SOT23

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI2315BDS-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	0,48Вт
Производитель	VISHAY
Ток стока в импульсном режиме	-12А
Ток стока	-3А
Корпус	SOT23
Напряжение сток-исток	-12В
Сопротивление в открытом состоянии	50мОм
Заряд затвора	15нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI2315BDS-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI2315BDS-T1-GE3 VISHAY Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SI2315BDS-T1-GE3 #SI2315BDS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Vishay SI2315BDS-T1-GE3 #SI2315BDS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -12В; -3А; Idm: -12А; 0,48Вт; SOT23 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽