Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — SI2323DS-T1-GE3

SI2323DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3

8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Техническая документация: SI2323DS-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	1,25Вт
Производитель	VISHAY
Ток стока в импульсном режиме	-20А
Ток стока	-3,8А
Корпус	SOT23
Напряжение сток-исток	-20В
Сопротивление в открытом состоянии	68мОм
Заряд затвора	19нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SI2323DS-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SI2323DS-T1-GE3 VISHAY Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23 можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SI2323DS-T1-GE3 #SI2323DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SI2323DS-T1-GE3 #SI2323DS-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -3,8А; Idm: -20А; 1,25Вт; SOT23 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽