Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — SIB457EDK-T1-GE3

SIB457EDK-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6

8А; Idm: -25А; 8,4Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY SEMICONDUCTORS

По запросу

Запросить

Техническая документация: SIB457EDK-T1-GE3.pdf

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	8,4Вт
Производитель	VISHAY
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока в импульсном режиме	-25А
Ток стока	-6,8А
Корпус	PowerPAK® SC75
Напряжение сток-исток	-20В
Сопротивление в открытом состоянии	35мОм
Заряд затвора	44нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	±8В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIB457EDK-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIB457EDK-T1-GE3 VISHAY SEMICONDUCTORS, VISHAY SILICONIX, VISHAY / SILICONIX, VISHAY, VISH/IR Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

105.82 7

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SIB457EDK-T1-GE3 #SIB457EDK-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Vishay SIB457EDK-T1-GE3 #SIB457EDK-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -6,8А; Idm: -25А; 8,4Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	VISH/IR SIB457EDK-T1-GE3 #1012799	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	VISH/IR SIB457EDK-T1-GE3 #1012799 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт.	Запросить	Vishay Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 9A PPAK SC75-6L Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 3000 шт. Кратность: 3000 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay / Siliconix SIB457EDK-T1-GE3	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay / Siliconix SIB457EDK-T1-GE3 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	Vishay Semiconductors SIB457EDK-T1-GE3 МОП-транзистор -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III	1+ 105,83 ₽ 10+ 90,66 ₽ 100+ 67,82 ₽ 500+ 53,36 ₽ 1000+ 40,51 ₽ 3000+ 38,01 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay Semiconductors SIB457EDK-T1-GE3 МОП-транзистор -20V 35mOhm@4.5V 9A P-Ch G-III 1+ 105,83 ₽ 10+ 90,66 ₽ 100+ 67,82 ₽ 500+ 53,36 ₽ 1000+ 40,51 ₽ 3000+ 38,01 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽