Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P SMD — SIRA01DP-T1-GE3

SIRA01DP-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20

8А; Idm: -150А

Внешний вид товара может отличаться от представленного

VISHAY

По запросу

Запросить

Монтаж	SMD
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	40Вт
Производитель	VISHAY
Ток стока в импульсном режиме	-150А
Ток стока	-20,8А
Корпус	PowerPAK® SO8
Технология	TrenchFET®
Напряжение сток-исток	-30В
Сопротивление в открытом состоянии	8,2мОм
Заряд затвора	112нC
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	лента
Напряжение затвор-исток	-20...16В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для SIRA01DP-T1-GE3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить SIRA01DP-T1-GE3 VISHAY Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	Vishay SIRA01DP-T1-GE3 #SIRA01DP-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Vishay SIRA01DP-T1-GE3 #SIRA01DP-T1-GE3 Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -20,8А; Idm: -150А Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽