Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторы с каналом типа P — Транзисторы с каналом P THT — NTE2997

NTE2997 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN

Внешний вид товара может отличаться от представленного

NTE ELECTRONICS

По запросу

Запросить

Техническая документация: NTE2997.pdf

Монтаж	THT
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	100Вт
Производитель	NTE Electronics
Характеристики полупроводниковых элементов	ESD protected gate
Ток стока	-7А
Корпус	TO3PN
Напряжение сток-исток	-160В
Тип транзистора	P-MOSFET
Вид упаковки	туба
Напряжение затвор-исток	±15В
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NTE2997 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NTE2997 NTE ELECTRONICS Транзистор: P-MOSFET; полевой; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	NTE Electronics NTE2997 #NTE2997 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	NTE Electronics NTE2997 #NTE2997 Транзистор: P-MOSFET; полевой; -160В; -7А; 100Вт; TO3PN Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽