NE5517DG Транскондуктивный Усилитель

2 Усилителя, 44 В, 2 МГц, -5 В, 5 В, SOIC

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: NE5517DG.pdf 177.2kb

Минимальное входное напряжение	-5V
Макс. рабочая температура	70°C
Мин. выходной ток	350µA
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Макс. выходной ток	650µA
Макс. входное напряжение	5V
Тип корпуса усилителя	SOIC
Скорость нарастания выходного напряжения	50V/µs
Количество усилителей	2Amplifiers
MSL	MSL 1 - Unlimited
Ширина полосы усиления	2MHz
RoHS Phthalates Compliant	Yes
Входное сопротивление	26kohm
Количество контактов	16Pins
Мин. рабочая температура	0°C
Напряжение питания	44V

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NE5517DG с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NE5517DG ON SEMICONDUCTOR Транскондуктивный Усилитель, 2 Усилителя, 44 В, 2 МГц, -5 В, 5 В, SOIC можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DG #2531587 Транскондуктивный Усилитель, 2 Усилителя, 44 В, 2 МГц, -5 В, 5 В, SOIC	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NE5517DG #2531587 Транскондуктивный Усилитель, 2 Усилителя, 44 В, 2 МГц, -5 В, 5 В, SOIC Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽