NE5517DR2G Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp

Внешний вид товара может отличаться от представленного

ROCHESTER ELECTRONICS

ON SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: NE5517DR2G.pdf 177.2kb

Макс. рабочая температура	70°C
Мин. выходной ток	350µA
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Макс. выходной ток	650µA
Тип корпуса усилителя	SOIC
Скорость нарастания выходного напряжения	50V/µs
Количество усилителей	2 Amplifier
MSL	MSL 1 - Unlimited
Ширина полосы усиления	2MHz
RoHS Phthalates Compliant	Yes
Входное сопротивление	26kohm
Количество контактов	16Pins
Мин. рабочая температура	0°C
Напряжение питания	44VDC

Ниже представлены все возможные варианты поставки для NE5517DR2G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить NE5517DR2G ROCHESTER ELECTRONICS, ON SEMICONDUCTOR Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

257.04 15

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0715 Поставка: 30 - 45 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #NE5517DR2G	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #NE5517DR2G Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #2844945 TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER, DUAL, SOIC16	5+ 589,35 ₽ 10+ 443,12 ₽ 100+ 312,40 ₽ 500+ 239,28 ₽ 2500+ 234,85 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #2844945 TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER, DUAL, SOIC16 5+ 589,35 ₽ 10+ 443,12 ₽ 100+ 312,40 ₽ 500+ 239,28 ₽ 2500+ 234,85 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 5 шт. Кратность: 5 шт. Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G	2500+ 257,04 ₽ 1+ 459,35 ₽ 10+ 412,67 ₽ 25+ 389,23 ₽ 100+ 331,64 ₽ 250+ 311,39 ₽ 500+ 272,46 ₽ 1000+ 257,04 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G None 2500+ 257,04 ₽ 1+ 459,35 ₽ 10+ 412,67 ₽ 25+ 389,23 ₽ 100+ 331,64 ₽ 250+ 311,39 ₽ 500+ 272,46 ₽ 1000+ 257,04 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G	1+ 453,73 ₽ 10+ 404,98 ₽ 25+ 391,86 ₽ 100+ 333,73 ₽ 250+ 314,99 ₽ 500+ 275,61 ₽ 1000+ 260,61 ₽ 2500+ 258,74 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G None 1+ 453,73 ₽ 10+ 404,98 ₽ 25+ 391,86 ₽ 100+ 333,73 ₽ 250+ 314,99 ₽ 500+ 275,61 ₽ 1000+ 260,61 ₽ 2500+ 258,74 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0206 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #121-9858 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #121-9858 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #787-8557 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2 шт. Кратность: 2 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #787-8557 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2 шт. Кратность: 2 шт. Запросить
#0204 Поставка: 20 - 30 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #787-8557P DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2 шт. Кратность: 2 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #787-8557P DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2 шт. Кратность: 2 шт. Запросить
#0208 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0208 Поставка: 40 - 60 дней	Rochester Electronics NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Rochester Electronics NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Кратность: 2500 шт. Запросить
#0209 Поставка: 40 - 60 дней	Rochester Electronics NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Rochester Electronics NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#02302 Поставка: 30 - 40 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0214 Поставка: 20 - 30 дней	ON Semiconductor NE5517DR2G #NE5517DR2G	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт.	Запросить	ON Semiconductor NE5517DR2G #NE5517DR2G None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 2500 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽