NE5517DR2G
#NE5517DR2G
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: NE5517DR2G.pdf 177.2kb
Макс. рабочая температура |
70°C |
Мин. выходной ток |
350µA |
Особо опасные вещества |
No SVHC (27-Jun-2018) |
Макс. выходной ток |
650µA |
Тип корпуса усилителя |
SOIC |
Скорость нарастания выходного напряжения |
50V/µs |
Количество усилителей |
2 Amplifier |
MSL |
MSL 1 - Unlimited |
Ширина полосы усиления |
2MHz |
RoHS Phthalates Compliant |
Yes |
Входное сопротивление |
26kohm |
Количество контактов |
16Pins |
Мин. рабочая температура |
0°C |
Напряжение питания |
44VDC |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для NE5517DR2G с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить NE5517DR2G ROCHESTER ELECTRONICS, ON SEMICONDUCTOR Транскондуктивные усилители Transconductance Dual Commercial Temp можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0715
Поставка:
30 - 45 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
||||
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
5+ 640,22 ₽ 10+ 481,37 ₽ 100+ 339,37 ₽ 500+ 259,94 ₽ 2500+ 255,13 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
5+ 640,22 ₽ 10+ 481,37 ₽ 100+ 339,37 ₽ 500+ 259,94 ₽ 2500+ 255,13 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
2500+ 308,62 ₽ 1+ 551,52 ₽ 10+ 495,47 ₽ 25+ 467,33 ₽ 100+ 398,18 ₽ 250+ 373,87 ₽ 500+ 327,13 ₽ 1000+ 308,62 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G None 2500+ 308,62 ₽ 1+ 551,52 ₽ 10+ 495,47 ₽ 25+ 467,33 ₽ 100+ 398,18 ₽ 250+ 373,87 ₽ 500+ 327,13 ₽ 1000+ 308,62 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
1+ 544,77 ₽ 10+ 486,24 ₽ 25+ 470,48 ₽ 100+ 400,70 ₽ 250+ 378,19 ₽ 500+ 330,91 ₽ 1000+ 312,91 ₽ 2500+ 310,65 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G None 1+ 544,77 ₽ 10+ 486,24 ₽ 25+ 470,48 ₽ 100+ 400,70 ₽ 250+ 378,19 ₽ 500+ 330,91 ₽ 1000+ 312,91 ₽ 2500+ 310,65 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #121-9858 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #787-8557 DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0204
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #787-8557P DUAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER SOIC16 Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0208
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0208
Поставка:
40 - 60 дней |
Rochester Electronics
NE5517DR2G
#REINE5517DR2G |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Rochester Electronics
NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/CВ/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #ONSNE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0209
Поставка:
40 - 60 дней |
Rochester Electronics
NE5517DR2G
#REINE5517DR2G |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Rochester Electronics
NE5517DR2G #REINE5517DR2G SOIC16/C/DUAL OPERATIONAL TRANSCONDUCTANCE AMPLIFIER Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
||
#02302
Поставка:
30 - 40 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G IC OPAMP TRANSCOND 2MHZ 16SOIC Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|||
#0214
Поставка:
20 - 30 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
ON Semiconductor
NE5517DR2G #NE5517DR2G None Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |