2MBI100S-120-50 IGBT

DUAL, MODULE, 100A, 1200V, NPT

Внешний вид товара может отличаться от представленного

FUJI ELECTRIC

По запросу

Запросить

Техническая документация: 2MBI100S-120-50.pdf

Внешняя глубина	62mm
Напряжение изоляции	2.5kV
Макс. рабочая температура	150°C
Макс. номинальная температура	25°C
Импульсный ток ICM	300A
Постоянный ток коллектора	150A
Количество контактов	7Pins
Внешняя ширина	108mm
Температура при токовой нагрузке	25°C
Макс. непрерывный ток, А	150A
Конфигурация модулей	Dual
Напряжение	1.2kV
Внешняя длина /высота	30mm
Рассеиваемая мощность	780W
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	2.6V
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Макс. рассеиваемая мощность	780W
Полярность транзистора	N Channel
Макс. температура перехода	150°C
Тип прекращения	Screw
Время спада	450ns
Тип корпуса транзистора	Module
Количество транзисторов	2
Время нарастания	350ns
Ток насыщения	100A

Ниже представлены все возможные варианты поставки для 2MBI100S-120-50 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить 2MBI100S-120-50 FUJI ELECTRIC IGBT, DUAL, MODULE, 100A, 1200V, NPT можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 #1689577 IGBT, DUAL, MODULE, 100A, 1200V, NPT	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	FUJI ELECTRIC 2MBI100S-120-50 #1689577 IGBT, DUAL, MODULE, 100A, 1200V, NPT Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽