2MBI200U4H-120-50 БТИЗ массив и модульный транзистор

N Канал, 200 А, 2.05 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, Module

Внешний вид товара может отличаться от представленного

FUJI ELECTRIC

По запросу

Запросить

Техническая документация: 2MBI200U4H-120-50.pdf

Конфигурация модулей	Dual
Тип корпуса транзистора	Module
Макс. рабочая температура	150°C
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Макс. рассеиваемая мощность	1.04kW
Рассеиваемая мощность	1.04kW
Постоянный ток коллектора	200A
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	2.05V
Количество контактов	7Pins
Полярность транзистора	N Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для 2MBI200U4H-120-50 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить 2MBI200U4H-120-50 FUJI ELECTRIC БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.05 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 #1817119 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.05 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, Module	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	FUJI ELECTRIC 2MBI200U4H-120-50 #1817119 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 200 А, 2.05 В, 1.04 кВт, 1.2 кВ, Module Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽