BSM10GD120DN2
#573222
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: BSM10GD120DN2.pdf
Максимальная рабочая температура |
+ 150 C |
Вид монтажа |
Screw |
Конфигурация |
Hex |
Упаковка / блок |
EconoPACK 2 |
Непрерывный коллекторный ток при 25 C |
15 A |
Производитель |
Infineon |
Торговая марка |
Infineon Technologies |
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. |
1200 V |
Ток утечки затвор-эмиттер |
120 nA |
Максимальное напряжение затвор-эмиттер |
+/- 20 V |
Продукт |
IGBT Silicon Modules |
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер |
2.7 V |
Рассеяние мощности |
80 W |
Минимальная рабочая температура |
- 40 C |
RoHS |
Нет |
Категория продукта |
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для BSM10GD120DN2 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить BSM10GD120DN2 INFIN, INFINEON TECHNOLOGIES Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#03011
Поставка:
15 - 25 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
|
#0206
Поставка:
40 - 60 дней |
Infineon Technologies
BSM10GD120DN2 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) 1200V 10A FL BRIDGE |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |