F475R12KS4BOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор

N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INFINEON TECHNOLOGIES

По запросу

Запросить

Техническая документация: F475R12KS4BOSA1.pdf 456.5kb

Тип корпуса транзистора	Module
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	3.2V
Рассеиваемая мощность	500W
Постоянный ток коллектора	100A
Линейка продукции	EconoPACK 2 Series
Макс. рабочая температура	125°C
Полярность транзистора	N Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для F475R12KS4BOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить F475R12KS4BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

37016.04 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies F475R12KS4BOSA1 #2726113 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module	1+ 37016,04 ₽ 5+ 31728,78 ₽ 10+ 27762,68 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies F475R12KS4BOSA1 #2726113 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 3.2 В, 500 Вт, 1.2 кВ, Module 1+ 37016,04 ₽ 5+ 31728,78 ₽ 10+ 27762,68 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽