FD150R12RT4HOSA1
#3155173
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (812) 385-76-87
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
← Каталог
![FD150R12RT4HOSA1]( "FD150R12RT4HOSA1")
FD150R12RT4HOSA1 IGBT MODULE
,N CH, 1.2KV, 150A, 790W
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FD150R12RT4HOSA1.pdf
Тип корпуса транзистора |
Module |
Особо опасные вещества |
No SVHC (15-Jan-2019) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1.2kV |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
1.75V |
Рассеиваемая мощность |
790W |
Постоянный ток коллектора |
150A |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Количество контактов |
11Pins |
Полярность транзистора |
N Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FD150R12RT4HOSA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FD150R12RT4HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES IGBT MODULE, N CH, 1.2KV, 150A, 790W можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
14079.00
2
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
1+ 14079,01 ₽ 5+ 13289,07 ₽ 10+ 12348,27 ₽ 50+ 12238,56 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
1+ 14079,01 ₽ 5+ 13289,07 ₽ 10+ 12348,27 ₽ 50+ 12238,56 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
||
|
#0205
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
По запросу
Ожидается поставка |