FF100R12RT4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор

N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INF

INFINEON TECHNOLOGIES

Лучшая цена:

Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 FF100R12RT4HOSA1

17168,78 ₽

= 171687,80 ₽

7-14 дней со склада #0333

24 шт. доступно В наличии на складе #0333.
Срок поставки со склада – 7-14 дней
Мин. заказ со склада: 5000 руб.

+ Добавить в корзину

Хотите купить дешевле?

Техническая документация: FF100R12RT4HOSA1.pdf

Тип корпуса транзистора	Module
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	1.75V
Рассеиваемая мощность	555W
Постоянный ток коллектора	100A
Макс. рабочая температура	150°C
Полярность транзистора	N Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FF100R12RT4HOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FF100R12RT4HOSA1 INF, INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

11790.08 4

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0333 Поставка: 7 - 14 дней	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 #FF100R12RT4HOSA1	1+ 21936,20 ₽ 3+ 19568,29 ₽ 10+ 17168,78 ₽	24 шт. В наличии на складе #0333. Срок поставки со склада – 7-14 дней Мин. заказ со склада: 5000 руб. Поставка: 7-14 дней	В корзину	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 #FF100R12RT4HOSA1 None 1+ 21936,20 ₽ 3+ 19568,29 ₽ 10+ 17168,78 ₽ 24 шт. В наличии на складе #0333. Срок поставки со склада – 7-14 дней Мин. заказ со склада: 5000 руб. Поставка: 7-14 дней В корзину
#0327 Поставка: 5 - 7 дней	INF FF100R12RT4HOSA1 #FF100R12RT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	INF FF100R12RT4HOSA1 #FF100R12RT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 100 А, 555 Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 #2726116 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module	1+ 11790,09 ₽ 5+ 11189,17 ₽ 10+ 10583,44 ₽ 50+ 10371,91 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 #2726116 БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 100 А, 1.75 В, 555 Вт, 1.2 кВ, Module 1+ 11790,09 ₽ 5+ 11189,17 ₽ 10+ 10583,44 ₽ 50+ 10371,91 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0205 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A	1+ 14382,97 ₽	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт.	Запросить	Infineon Technologies FF100R12RT4HOSA1 IGBT MODULE VCES 1700V 1000A 1+ 14382,97 ₽ По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽