FF200R12KT3HOSA1
#2726124
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FF200R12KT3HOSA1.pdf 389.4kb
Тип корпуса транзистора |
Module |
Особо опасные вещества |
No SVHC (27-Jun-2018) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1.2kV |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
1.7V |
Рассеиваемая мощность |
1.05kW |
Постоянный ток коллектора |
295A |
Линейка продукции |
62mm C-Series |
Макс. рабочая температура |
125°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FF200R12KT3HOSA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FF200R12KT3HOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 295 А, 1.7 В, 1.05 кВт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
---|---|---|---|---|---|---|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Infineon Technologies
FF200R12KT3HOSA1
#2726124 |
1+ 27752,34 ₽ 5+ 26014,91 ₽ 10+ 24261,97 ₽ 50+ 23775,90 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
1+ 27752,34 ₽ 5+ 26014,91 ₽ 10+ 24261,97 ₽ 50+ 23775,90 ₽ По запросу
Ожидается поставка |