FF200R12KT4HOSA1 БТИЗ массив и модульный транзистор

Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module

Внешний вид товара может отличаться от представленного

INF

INFINEON TECHNOLOGIES

INFIN

По запросу

Запросить

Техническая документация: FF200R12KT4HOSA1.pdf

Тип корпуса транзистора	Module
Особо опасные вещества	No SVHC (27-Jun-2018)
Напряжение коллектор-эмиттер	1.2kV
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"	1.75V
Рассеиваемая мощность	1.1kW
Постоянный ток коллектора	320A
Макс. рабочая температура	150°C
Мин. рабочая температура	-40°C
Количество контактов	7Pins
Полярность транзистора	Dual NPN

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FF200R12KT4HOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FF200R12KT4HOSA1 INF, INFINEON TECHNOLOGIES, INFIN БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

19265.05 5

Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
#0327 Поставка: 5 - 7 дней	INF FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	INF FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4 Биполярный транзистор IGBT, 1200В, 200А, 1100Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0715 Поставка: 30 - 45 дней	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4HOSA1	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #FF200R12KT4HOSA1 Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#03011 Поставка: 15 - 25 дней	INFIN FF200R12KT4HOSA1 #794989	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	INFIN FF200R12KT4HOSA1 #794989 None Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить
#0201 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #2377249 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module	1+ 19265,06 ₽ 5+ 18022,70 ₽ 10+ 16778,45 ₽ 50+ 16443,60 ₽	По запросу Ожидается поставка	Запросить	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #2377249 БТИЗ массив и модульный транзистор, Двойной NPN, 320 А, 1.75 В, 1.1 кВт, 1.2 кВ, Module 1+ 19265,06 ₽ 5+ 18022,70 ₽ 10+ 16778,45 ₽ 50+ 16443,60 ₽ По запросу Ожидается поставка Запросить
#0210 Поставка: 40 - 60 дней	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #85412900 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin Tray	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт.	Запросить	Infineon Technologies FF200R12KT4HOSA1 #85412900 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 320A 7-Pin Tray Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 10 шт. Кратность: 10 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽