loader
← Каталог

FF800R17KE3NOSA1 IGBT MODULE

FF800R17KE3NOSA1

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: FF800R17KE3NOSA1.pdf 418.3kb

Тип корпуса транзистора

Module

Особо опасные вещества

No SVHC (27-Jun-2018)

Напряжение коллектор-эмиттер

1.7kV

Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"

2V

Рассеиваемая мощность

4.45kW

Постоянный ток коллектора

1.15kA

Макс. рабочая температура

125°C

Полярность транзистора

N Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FF800R17KE3NOSA1 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FF800R17KE3NOSA1 INFIN, INFINEON TECHNOLOGIES IGBT MODULE можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

199039.29 3
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#03011
Поставка:
15 - 25 дней
INFIN
FF800R17KE3NOSA1

#2113795

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

INFIN
FF800R17KE3NOSA1

#2113795


None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0201
Поставка:
40 - 60 дней
Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1

#2839510

IGBT MODULE

1+ 199039,29 ₽

5+ 184230,99 ₽

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1

#2839510


IGBT MODULE

1+ 199039,29 ₽

5+ 184230,99 ₽

По запросу

Ожидается поставка

#0205
Поставка:
40 - 60 дней
Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1
IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2 шт.
Кратность: 2 шт.

Infineon Technologies
FF800R17KE3NOSA1 IGBT MODULE VCES 1200V 800A

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 2 шт.
Кратность: 2 шт.