loader
← Каталог

FP15R12W1T4_B3 БТИЗ массив и модульный транзистор

,

N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module

FP15R12W1T4_B3

Внешний вид товара может отличаться от представленного

  Техническая документация: FP15R12W1T4_B3.pdf 908.5kb

Диапазон рабочих температур

-40°C to +150°C

Тип корпуса транзистора

Module

Особо опасные вещества

No SVHC (27-Jun-2018)

Напряжение коллектор-эмиттер

1.2kV

Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер"

1.85V

Макс. рассеиваемая мощность

130W

Рассеиваемая мощность

130W

Постоянный ток коллектора

15A

Макс. рабочая температура

150°C

Мин. рабочая температура

-40°C

Количество контактов

20Pins

Полярность транзистора

N Channel

Ниже представлены все возможные варианты поставки для FP15R12W1T4_B3 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить FP15R12W1T4_B3 INFIN, INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 6
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#03011
Поставка:
15 - 25 дней
INFIN
FP15R12W1T4_B3 –28%

#795067

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 24 шт.
Кратность: 24 шт.

INFIN
FP15R12W1T4_B3

#795067


None

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 24 шт.
Кратность: 24 шт.

#0201
Поставка:
40 - 60 дней
Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#1833569

БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#1833569


БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 15 А, 1.85 В, 130 Вт, 1.2 кВ, Module

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0206
Поставка:
40 - 60 дней
Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3 Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) IGBT 1200V 15A

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0204
Поставка:
20 - 30 дней
Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#165-5899

IGBT MODULE N-CH 1.2KV 28A AG-EASY1B-1

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#165-5899


IGBT MODULE N-CH 1.2KV 28A AG-EASY1B-1

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#0204
Поставка:
20 - 30 дней
Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#838-6995

IGBT MODULE N-CH 1.2KV 28A AG-EASY1B-1

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3

#838-6995


IGBT MODULE N-CH 1.2KV 28A AG-EASY1B-1

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

#02301
Поставка:
30 - 40 дней
Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3
Infineon FP15R12W1T4_B3 Nйй IGBT же, 3 з, 28 A 1200 V, 23й EASY1Bеи

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка

Infineon Technologies
FP15R12W1T4_B3 Infineon FP15R12W1T4_B3 Nйй IGBT же, 3 з, 28 A 1200 V, 23й EASY1Bеи

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка