FP40R12KT3GBOSA1
#2113862
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FP40R12KT3GBOSA1.pdf
Тип корпуса транзистора |
Module |
Особо опасные вещества |
No SVHC (27-Jun-2018) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1.2kV |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
1.8V |
Рассеиваемая мощность |
210W |
Постоянный ток коллектора |
55A |
Линейка продукции |
EconoPIM 3 Series |
Макс. рабочая температура |
125°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FP40R12KT3GBOSA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FP40R12KT3GBOSA1 INFIN, INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 55 А, 1.8 В, 210 Вт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#03011
Поставка:
15 - 25 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
|||
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1
#2726166 |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |
|
|
#0210
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Infineon Technologies
FP40R12KT3GBOSA1 #85412900 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 55A 35-Pin Tray Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |