FS75R12KT4B15BOSA1
#2709950
Первый раз? Зарегистрируйтесь!
Уже зарегистрированы? Войти
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Внешний вид товара может отличаться от представленного
Техническая документация: FS75R12KT4B15BOSA1.pdf 0.0b
Тип корпуса транзистора |
Module |
Особо опасные вещества |
No SVHC (27-Jun-2018) |
Напряжение коллектор-эмиттер |
1.2kV |
Напряжение насыщения "коллектор-эмиттер" |
1.85V |
Рассеиваемая мощность |
385W |
Постоянный ток коллектора |
75A |
Линейка продукции |
EconoPACK 2 Series |
Макс. рабочая температура |
150°C |
Полярность транзистора |
N Channel |
Ниже представлены все возможные варианты поставки для FS75R12KT4B15BOSA1 с различных складов дистрибьюторов.
Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!
Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое
количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.
Купить FS75R12KT4B15BOSA1 INFINEON TECHNOLOGIES БТИЗ массив и модульный транзистор, N Канал, 75 А, 1.85 В, 385 Вт, 1.2 кВ, Module можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты
| Изображение | Склад | Производитель / наименование / описание | Цены | Доступность | Основная информация | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
#0201
Поставка:
40 - 60 дней |
Infineon Technologies
FS75R12KT4B15BOSA1
#2709950 |
1+ 21332,40 ₽ 5+ 20245,17 ₽ 10+ 19149,39 ₽ 50+ 18767,04 ₽ |
По запросу
Ожидается поставка |
1+ 21332,40 ₽ 5+ 20245,17 ₽ 10+ 19149,39 ₽ 50+ 18767,04 ₽ По запросу
Ожидается поставка |
|
|
#0210
Поставка:
40 - 60 дней |
Цены по запросу |
По запросу
Ожидается поставка |
Infineon Technologies
FS75R12KT4B15BOSA1 #85412900 Trans IGBT Module N-CH 1.2KV 75A 28-Pin Tray Цены по запросу По запросу
Ожидается поставка |