Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторные модули MOSFET — APTC60AM45BC1G

APTC60AM45BC1G Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP1; Ugs: ±20В; Idm: 130А

Внешний вид товара может отличаться от представленного

MICROCHIP (MICROSEMI)

По запросу

Запросить

Сопротивление в открытом состоянии	45мОм
Напряжение затвор-исток	±20В
Топология	полумост MOSFET
Рассеиваемая мощность	250Вт
Производитель	MICROCHIP (MICROSEMI)
Ток стока	38А
Корпус	SP1
Технология	SiC
Механический монтаж	винтами
Электрический монтаж	Press-in PCB
Конструкция диода	диод SiC/транзистор
Напряжение сток-исток	600В
Ток стока в импульсном режиме	130А
Тип модуля	полевой МОП-транзистор

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APTC60AM45BC1G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APTC60AM45BC1G MICROCHIP (MICROSEMI) Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP1; Ugs: ±20В; Idm: 130А можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	MICROCHIP (MICROSEMI) APTC60AM45BC1G #APTC60AM45BC1G Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP1; Ugs: ±20В; Idm: 130А	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 11 шт. Кратность: 11 шт.	Запросить	MICROCHIP (MICROSEMI) APTC60AM45BC1G #APTC60AM45BC1G Модуль; диод SiC/транзистор; 600В; 38А; SP1; Ugs: ±20В; Idm: 130А Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Мин. заказ: 11 шт. Кратность: 11 шт. Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽