loader
← Каталог

APTM100DSK35T3G Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 17А; SP3; Ugs: ±30В; Press-in PCB

APTM100DSK35T3G

Внешний вид товара может отличаться от представленного

Сопротивление в открытом состоянии

420мОм

Напряжение затвор-исток

±30В

Топология

термистор NTC

Рассеиваемая мощность

390Вт

Производитель

MICROCHIP (MICROSEMI)

Ток стока

17А

Корпус

SP3

Технология

POWER MOS 7®

Механический монтаж

винтами

Электрический монтаж

Press-in PCB

Конструкция диода

диод/транзистор

Напряжение сток-исток

1кВ

Ток стока в импульсном режиме

88А

Тип модуля

полевой МОП-транзистор

Ниже представлены все возможные варианты поставки для APTM100DSK35T3G с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить APTM100DSK35T3G MICROCHIP (MICROSEMI) Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 17А; SP3; Ugs: ±30В; Press-in PCB можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1
Изображение Склад Производитель / наименование / описание Цены Доступность Основная информация
#0202
Поставка:
27 - 35 дней
MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DSK35T3G

#APTM100DSK35T3G

Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 17А; SP3; Ugs: ±30В; Press-in PCB

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 12 шт.
Кратность: 12 шт.

MICROCHIP (MICROSEMI)
APTM100DSK35T3G

#APTM100DSK35T3G


Модуль; диод/транзистор; 1кВ; 17А; SP3; Ugs: ±30В; Press-in PCB

Цены по запросу

По запросу

Ожидается поставка
Мин. заказ: 12 шт.
Кратность: 12 шт.