Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторные модули MOSFET — DACMI80N1200

DACMI80N1200 Модуль; одиночный транзистор; 1

2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC

Внешний вид товара может отличаться от представленного

DACO SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: DACMI80N1200.pdf

Рабочая температура	-55...150°C
Сопротивление в открытом состоянии	34мОм
Напряжение затвор-исток	-10...20В
Рассеиваемая мощность	460Вт
Производитель	DACO Semiconductor
Ток стока	50А
Корпус	SOT227B
Технология	SiC
Механический монтаж	винтами
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	одиночный транзистор
Напряжение сток-исток	1,2кВ
Ток стока в импульсном режиме	250А
Тип модуля	полевой МОП-транзистор
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для DACMI80N1200 с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить DACMI80N1200 DACO SEMICONDUCTOR Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	DACO Semiconductor DACMI80N1200 #DACMI80N1200-DCO Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	DACO Semiconductor DACMI80N1200 #DACMI80N1200-DCO Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 50А; SOT227B; винтами; SiC Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽