Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторные модули MOSFET — G3R20MT12N

G3R20MT12N Модуль; одиночный транзистор; 1

2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

GENESIC SEMICONDUCTOR

По запросу

Запросить

Техническая документация: G3R20MT12N.pdf

Сопротивление в открытом состоянии	20мОм
Вид канала	обогащенный
Рассеиваемая мощность	365Вт
Производитель	GeneSiC SEMICONDUCTOR
Ток стока в импульсном режиме	240А
Ток стока	74А
Корпус	SOT227B
Технология	SiC
Механический монтаж	винтами
Электрический монтаж	винтами
Конструкция диода	одиночный транзистор
Напряжение сток-исток	1,2кВ
Напряжение затвор-исток	-5...15В
Тип модуля	полевой МОП-транзистор
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для G3R20MT12N с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить G3R20MT12N GENESIC SEMICONDUCTOR Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 40 - 60 дней	GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N #G3R20MT12N Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R20MT12N #G3R20MT12N Модуль; одиночный транзистор; 1,2кВ; 74А; SOT227B; винтами; 365Вт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽