Каталог — Каталог ТМЕ — Полупроводники — Транзисторы — Транзисторы униполярные — Транзисторные модули MOSFET — IXFN100N50P

IXFN100N50P Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:75А; SOT227B; 1

04кВт

Внешний вид товара может отличаться от представленного

IXYS

По запросу

Запросить

Техническая документация: IXFN100N50P.pdf

Сопротивление в открытом состоянии	49мОм
Вид канала	обогащенный
Электрический монтаж	винтами
Рассеиваемая мощность	1,04кВт
Производитель	IXYS
Напряжение затвор-исток	±30В
Ток стока в импульсном режиме	250А
Ток стока	75А
Корпус	SOT227B
Технология	HiPerFET™
Механический монтаж	винтами
Заряд затвора	240нC
Конструкция диода	одиночный транзистор
Напряжение сток-исток	500В
Время готовности	200нс
Тип модуля	полевой МОП-транзистор
Полярность	полевой

Ниже представлены все возможные варианты поставки для IXFN100N50P с различных складов дистрибьюторов.

Внимание! Срок поставки по каждому складу может существенно отличаться!

Для оформления заказа необходимо выбрать подходящий вариант поставки и добавить необходимое количество в корзину.
Оплата — только безналичный расчет, 100% авансовый платеж.

Купить IXFN100N50P IXYS Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:75А; SOT227B; 1,04кВт можно оптом или в розницу с доставкой по всей России. Подробнее о доставке и способах оплаты

0.00 1

Изображение	Склад	Производитель / наименование / описание	Цены	Доступность		Основная информация
	#0202 Поставка: 27 - 35 дней	IXYS IXFN100N50P #IXFN100N50P Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:75А; SOT227B; 1,04кВт	Цены по запросу	По запросу Ожидается поставка	Запросить	IXYS IXFN100N50P #IXFN100N50P Модуль; одиночный транзистор; Uds:500В; Id:75А; SOT227B; 1,04кВт Цены по запросу По запросу Ожидается поставка Запросить

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽

Сумма (в т. ч. НДС 20%)	0 ,00 ₽
Ваша скидка 0% + 3.0%	0 ,00 ₽
Итог	0 ₽