Infineon Technologies
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 130A, TSDSON-FL
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (981) 751-11-91
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
Транзисторы
Все
Только в наличии
Infineon Technologies
BSZ024N04LS6ATMA1
MOSFET, N-CH, 40V, 130A, TSDSON-FL
Нет в наличии
от 108,56 ₽
от 108,56 ₽
Infineon Technologies
IPB65R050CFD7AATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 45A, TO-263/D2PAK
Нет в наличии
от 1845,58 ₽
от 1845,58 ₽
Infineon Technologies
F3L400R10W3S7FB11BPSA1
IGBT MODULE, SIX N CHANNEL, 950V, 220A
Нет в наличии
от 38914,59 ₽
от 38914,59 ₽
Infineon Technologies
FS3L200R10W3S7FB11BPSA1
IGBT MODULE, SIX N CHANNEL, 950V, 70A
По запросу
от 36363,94 ₽
от 36363,94 ₽
Infineon Technologies
F423MR12W1M1PB11BPSA1
SIC MOSFET, FULL BRIDGE, N-CH, 1.2KV/50A
По запросу
от 28248,75 ₽
от 28248,75 ₽
Infineon Technologies
FP25R12W2T7B11BPSA1
IGBT MODULE, SEVEN N CHANNEL, 1.2KV, 25A
По запросу
от 6991,45 ₽
от 6991,45 ₽
Infineon Technologies
FF8MR12W2M1PB11BPSA1
SIC MOSFET, HALF BRIDGE, N-CH/1.2KV/150A
По запросу
от 41336,22 ₽
от 41336,22 ₽
Infineon Technologies
IPBE65R115CFD7AATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-263/D2PAK
Нет в наличии
от 799,83 ₽
от 799,83 ₽
Infineon Technologies
FF600R12KE4PBOSA1
IGBT MODULE, DUAL N CHANNEL, 1.2KV, 600A
По запросу
от 36476,56 ₽
от 36476,56 ₽
Infineon Technologies
IAUC120N06S5L032ATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 120A, TDSON
Нет в наличии
от 132,72 ₽
от 132,72 ₽
Infineon Technologies
FP50R12W2T7B11BOMA1
IGBT MODULE, SEVEN N CHANNEL, 1.2KV, 50A
По запросу
от 10495,78 ₽
от 10495,78 ₽
Infineon Technologies
IKW75N65ET7XKSA1
TRANS, IGBT, 650V, 80A, 333W, TO-247
Нет в наличии
от 633,66 ₽
от 633,66 ₽
Infineon Technologies
IPB65R115CFD7AATMA1
MOSFET, N-CH, 650V, 21A, TO-263/D2PAK
Нет в наличии
от 655,86 ₽
от 655,86 ₽
Как используются транзисторы?
Перед тем, как купить строчный, цифровой транзистор, нужно определиться с максимальным рабочим напряжением и током стока. Мощные транзисторы используются как элементы в составе коммутаторов в импульсных источниках питания, схем распределения и коммутации электропитания, усилителей мощности звука, схем управления электродвигателем, стабилизаторов напряжения и ключей управления электромагнитными реле, светодиодной нагрузкой и др. Параметры, указанные в паспорте изделия, нужно, конечно, учитывать, но окончательный выбор осуществляется на основе графика ОБР для импульсного либо статического режима работы (данные приводятся в документации). Как правило, устройства коммутируют меньший ток по сравнению со стандартной классификацией, вдобавок параметр тока стока нередко ограничен температурой кристалла.
Если вам нужна помощь в выборе прибора, обратитесь к нашим консультантам.