Infineon()
BSS209PWH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
+7 (812) 385-76-87
Вход на FIVEL
| Сумма (в т. ч. НДС 20%) | 0 ,00 ₽ |
| Ваша скидка 0% + 3.0% | 0 ,00 ₽ |
| Итог | 0 ₽ |
Корзина
Транзисторы
Все
Только в наличии
Infineon()
BSS209PWH6327XTSA1
Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -0,63А; 0,3Вт; PG-SOT-323
По запросу
от 9,27 ₽
от 9,27 ₽
ON Semiconductor
NST847BPDP6T5G
Биполярные транзисторы - BJT DUAL COMP GP TRANS SOT963
По запросу
от 10,35 ₽
от 10,35 ₽
Diodes Incorporated
ZXT1053AKTC
Транзистор: NPN; биполярный; 75В; 5А; 2,1Вт; TO252
По запросу
от 49,63 ₽
от 49,63 ₽
SOT323/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kOhm, R2 = 2.2 kOhm/12NC
Нет в наличии
Цена по запросу
Цена по запросу
ST Microelectronics
STF25N80K5
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 800В; 12,3А; Idm: 78А; 40Вт; TO220FP
По запросу
от 540,50 ₽
от 540,50 ₽
ON Semiconductor
NJT4031NT3G
Биполярные транзисторы - BJT NPN 40V LO SAT BP SOT223
По запросу
от 27,68 ₽
от 27,68 ₽
Infineon Technologies
BC856SH6327XTSA1
Биполярные транзисторы - BJT AF TRANSISTOR
По запросу
от 9,45 ₽
от 9,45 ₽
INFIN
BCR22PNH6327XTSA1
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения AF DIGITAL TRANSISTOR
По запросу
от 10,54 ₽
от 10,54 ₽
Infineon Technologies
BSS119NH6327XTSA1
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 100В; 0,19А; 0,5Вт; SOT23
По запросу
от 22,33 ₽
от 22,33 ₽
NXP Semiconductor
MRF6V2300NBR5
РЧ МОП-транзисторы VHV6 300W Latrl N-Ch SE Broadband MOSFET
По запросу
Цена по запросу
Цена по запросу
Infineon Technologies
IGZ100N65H5XKSA1
Транзистор: IGBT; 650В; 101А; 268Вт; TO247-4; Серия: H5
По запросу
от 900,92 ₽
от 900,92 ₽
ON Semiconductor
SMMUN2113LT1G
Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR SPCL TR
По запросу
от 5,63 ₽
от 5,63 ₽
Как используются транзисторы?
Перед тем, как купить строчный, цифровой транзистор, нужно определиться с максимальным рабочим напряжением и током стока. Мощные транзисторы используются как элементы в составе коммутаторов в импульсных источниках питания, схем распределения и коммутации электропитания, усилителей мощности звука, схем управления электродвигателем, стабилизаторов напряжения и ключей управления электромагнитными реле, светодиодной нагрузкой и др. Параметры, указанные в паспорте изделия, нужно, конечно, учитывать, но окончательный выбор осуществляется на основе графика ОБР для импульсного либо статического режима работы (данные приводятся в документации). Как правило, устройства коммутируют меньший ток по сравнению со стандартной классификацией, вдобавок параметр тока стока нередко ограничен температурой кристалла.
Если вам нужна помощь в выборе прибора, обратитесь к нашим консультантам.